RAM(Random Access Memory)은 데이터를 유지하기 위해 일정한 전원이 필요한 일종의 메모리로, 전원 공급이 중단되면 데이터가 손실되므로 휘발성 메모리라고 합니다. RAM(Random Access Memory) 정적 RAM과 동적 RAM에는 두 가지 유형이 있으며 각각 장단점이 있습니다. 여기 SRAM과 드램의 차이점에 대한 완전한 가이드가 있습니다. , SRAM과 DRAM 중 어느 것이 더 좋은가요, DRAM은 왜 수천 번 갱신해야 합니까?
SRAM과 DRAM의 차이점
정적 RAM과 동적 RAM은 모두 속도, 용량 등과 같은 많은 맥락에서 서로 다릅니다. 이러한 차이는 데이터를 유지하는 데 사용되는 기술의 차이로 인해 발생합니다. DRAM은 각 메모리 셀에 단일 트랜지스터와 커패시터를 사용하는 반면 SRAM의 각 메모리 셀은 6개의 트랜지스터 어레이를 사용합니다. DRAM은 새로 고침이 필요한 반면 SRAM은 메모리 셀을 새로 고칠 필요가 없습니다.
SRAM 대 드램 비교 차트
| 동적 RAM | 정적 RAM |
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| 소개 | 동적 랜덤 액세스 메모리는 집적 회로 내의 별도 커패시터에 데이터의 각 비트를 저장하는 일종의 랜덤 액세스 메모리입니다. | 정적 랜덤 액세스 메모리는 쌍안정 래칭 회로를 사용하여 각 비트를 저장하는 일종의 반도체 메모리입니다. 정적이라는 용어는 주기적으로 새로 고쳐야 하는 동적 RAM(DRAM)과 구별됩니다. |
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| 일반적인 애플리케이션 | 컴퓨터의 메인 메모리(예:DDR3). 장기 보관용이 아닙니다. | CPU의 L2 및 L3 캐시 |
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| 일반적인 크기 | 스마트폰 및 태블릿의 경우 1GB~2GB; 노트북의 경우 4GB~16GB | 1MB~16MB |
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| 현재 위치 | 마더보드에 있습니다. | 프로세서 또는 프로세서와 메인 메모리 사이에 존재합니다. |
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SRAM 및 드램 정의
DRAM은 동적 랜덤 액세스 메모리를 나타냅니다. 컴퓨터의 기본 메모리로 널리 사용되는 체계. DRAM은 1비트를 저장하기 위해 1개의 트랜지스터와 1개의 커패시터를 필요로 합니다. 의미 DRAM 칩의 각 메모리 셀은 1비트의 데이터를 보유하며 트랜지스터와 커패시터로 구성됩니다. 트랜지스터는 메모리 칩의 제어 회로가 커패시터를 읽거나 상태를 변경할 수 있도록 하는 스위치 역할을 하는 반면 커패시터는 데이터 비트를 1 또는 0 형태로 유지하는 역할을 합니다.
우리가 알다시피 커패시터는 전자를 저장하는 용기와 같습니다. 이 용기가 가득 차면 1을 지정하고 전자가 비어 있는 용기는 0을 지정합니다. 그러나 커패시터에는 누설이 있어 이 전하를 잃게 되므로 "용기"는 몇 번만 지나면 비게 됩니다. 밀리초. 그리고 DRAM 칩이 작동하려면 CPU 또는 메모리 컨트롤러는 데이터를 유지하기 위해 방전되기 전에 전자로 채워진(따라서 1을 나타냄) 커패시터를 재충전해야 합니다. 이를 위해 메모리 컨트롤러는 데이터를 읽은 다음 다시 씁니다. 이를 리프레시라고 하며 DRAM 칩에서 초당 수천 번 발생합니다. 지속적으로 데이터를 새로 고쳐야 하고 시간이 걸리기 때문에 DRAM이 더 느립니다.
DDR3와 같은 DRAM의 가장 일반적인 응용 분야는 컴퓨터용 휘발성 스토리지입니다. SRAM만큼 빠르지는 않지만 DRAM은 여전히 매우 빠르며 CPU 버스에 직접 연결할 수 있습니다. 일반적인 DRAM 크기는 스마트폰과 태블릿의 경우 약 1~2GB, 노트북의 경우 4~16GB입니다.
SRAM은 정적 랜덤 액세스 메모리를 나타냅니다. , 일반적으로 캐시 메모리라고 하는 매우 빠른 메모리를 구축하는 데 사용됩니다. . SRAM은 1비트를 저장하는 데 6개의 트랜지스터가 필요하며 DRAM에 비해 훨씬 빠릅니다. 정적 RAM은 DRAM과 완전히 다른 기술을 사용합니다. 정적 RAM에서는 일종의 플립플롭이 메모리의 각 비트를 보유합니다. 메모리 셀용 플립플롭은 일부 배선과 함께 4개 또는 6개의 트랜지스터를 사용하지만 새로 고칠 필요는 없습니다. 이렇게 하면 정적 RAM이 동적 RAM보다 훨씬 빠릅니다. 커패시터와 트랜지스터로 구성된 셀에 비트를 저장하는 동적 RAM(DRAM)과 달리 SRAM은 주기적으로 새로 고칠 필요가 없습니다.
그러나 더 많은 부품이 있기 때문에 정적 메모리 셀은 동적 메모리 셀보다 칩에서 훨씬 더 많은 공간을 차지합니다. 따라서 칩당 메모리가 줄어들고 정적 RAM이 훨씬 더 비쌉니다.
더 빨라진 속도: SRAM은 새로 고칠 필요가 없기 때문에 일반적으로 더 빠릅니다. DRAM의 평균 액세스 시간은 약 60나노초인 반면 SRAM은 10나노초 정도로 낮은 액세스 시간을 제공할 수 있습니다.
SRAM의 가장 일반적인 응용 프로그램은 프로세서(CPU)의 캐시 역할을 하는 것입니다. 프로세서 사양에서 이것은 L2 캐시 또는 L3 캐시로 나열됩니다. SRAM 성능은 정말 빠르지만 SRAM은 비싸기 때문에 L2 및 L3 캐시의 일반적인 값은 1MB에서 8MB입니다.
스램 대 드램 속도
SRAM은 일반적으로 DRAM보다 빠릅니다. 새로고침 주기가 없기 때문입니다. 1개의 트랜지스터와 1개의 커패시터로 구성되는 DRAM 메모리 셀과 달리 각 SRAM 메모리 셀은 6개의 트랜지스터로 구성되므로 메모리 셀당 비용은 DRAM에 비해 SRAM에서 훨씬 큽니다.
이제 SRAM과 DRAM의 차이점을 이해하셨기를 바랍니다. . 그리고 중요한 것은 클럭 주기에서 RAM을 수백 번 새로 고쳐야 하는 이유입니다. 질문에 대한 제안이 있으시면 댓글로 자유롭게 토론하세요.
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